特許
J-GLOBAL ID:200903059189929447
含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-196907
公開番号(公開出願番号):特開2009-029974
出願日: 2007年07月30日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【課題】レジスト材料のベース樹脂用の単量体を提供する。【解決手段】式(1)で示される含フッ素単量体。(R1はH、又はC1〜20の1価炭化水素基を示し、1価炭化水素基の場合、構成する-CH2-が-O-又は-C(=O)-に置換されていてもよい。R2はH、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R3、R4はH、又はC1〜8の1価炭化水素基を示す。又は、R3、R4は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Aは、C1〜6の2価炭化水素基を示す。)含フッ素単量体は、機能性材料、感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として有用である。単量体からの高分子化合物は高解像性、耐水性に優れ、レジスト材料のベース樹脂として精密な微細加工に極めて有効である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される含フッ素単量体。
IPC (8件):
C08F 20/28
, C08F 32/08
, C07C 69/003
, C07C 69/67
, C07C 69/753
, G03F 7/039
, G03F 7/38
, H01L 21/027
FI (8件):
C08F20/28
, C08F32/08
, C07C69/003 B
, C07C69/67
, C07C69/753 Z
, G03F7/039 601
, G03F7/38 501
, H01L21/30 502R
Fターム (73件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF07
, 2H025BG00
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025DA03
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096CA06
, 2H096DA10
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096GA09
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB46
, 4H006AB78
, 4H006BJ20
, 4H006BJ30
, 4H006BM10
, 4H006BM71
, 4H006BN10
, 4H006BT12
, 4H006KC14
, 4J100AJ02T
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100AR09P
, 4J100AR32P
, 4J100BA02P
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA03T
, 4J100BA04P
, 4J100BA11S
, 4J100BA15P
, 4J100BB18P
, 4J100BB18T
, 4J100BC03P
, 4J100BC03Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC04T
, 4J100BC07Q
, 4J100BC07R
, 4J100BC07S
, 4J100BC12Q
, 4J100BC12R
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53S
, 4J100BC53T
, 4J100BC58S
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA38
, 4J100DA62
, 4J100FA17
, 4J100FA18
, 4J100FA47
, 4J100JA38
引用特許: