特許
J-GLOBAL ID：200903059234881124
光デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-364292
公開番号（公開出願番号）：特開2005-182030
出願日： 2004年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 光導波路と光検出器が一体型に結合された光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、基板上に成長された第1単結晶成長層と、単結晶成長層上に形成されたクラッド層とコア層とを備える光導波路及び光導波路を進行する所定帯域の波長を有する光を吸収するためにクラッド層が露出されたコア層の所定部分に成長された第2単結晶成長層とを含む光ディバイスである。これにより、整列工程及びフリップ-チップボンディング等の付加工程が不要になって光デバイスのコストを低減することができる。又、光導波路と光検出器とが短絡されておらず、光導波路のコア部を光検出器にそのまま用いることにより製造工程が簡単であるだけではなく、光結合効率を向上させ得る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に成長された第1単結晶成長層と、
前記第1単結晶成長層上に形成されたクラッド層とコア層とを備える光導波路と、
前記光導波路を進行する所定帯域の波長を有する光を吸水するために前記クラッド層の一部が除去された前記コア層の所定部分に形成されたアンドーピング層と、
前記アンドーピング層上に成長された第2単結晶成長層と、
前記基板の一側面に形成されたn-型電極と、
前記第2単結晶層に電気的に連結されたp-型電極とを含むことを特徴とする光デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
2H047KA04
, 2H047MA07
, 5F088BA18
, 5F088BB01
, 5F088DA05
, 5F088GA04
, 5F088GA05
, 5F088JA14
, 5F088LA01
