特許
J-GLOBAL ID:200903032907484704

光インターコネクト装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-105632
公開番号(公開出願番号):特開2000-298218
出願日: 1999年04月13日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】導波路を形成した基板に他の基板から切り出した光素子を貼り付ける従来の方法は導波路や光素子の端面における散乱をさけられない。また,光素子をハンドリングする必要があるため、装置の微細化は困難である。【解決手段】本願発明は、光導波路を形成した半導体基板に発光素子あるいは受光素子となる半導体層を選択的に成長させ、光導波路の少なくともコア層と発光素子あるいは受光素子の端面を直接接触させるものである。更には、本願発明は、所望基板に光導波路を形成した後に光素子を選択エピタキシャル成長によって形成することによって、光導波路のコア領域と発光素子の発光面あるいは受光面を接触させる製造方法を提供するものである。
請求項(抜粋):
半導体基板に、光導波路と、発光素子と受光素子との少なくとも一者とを有し、該光導波路は屈折率の高いコア領域と屈折率の低いクラッド領域とを有し、当該光導波路の少なくともコア領域端面と前記発光素子の発光面あるいは該受光素子の受光面が接触していることを特徴とする光インターコネクト装置。
IPC (4件):
G02B 6/122 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/12
FI (4件):
G02B 6/12 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 31/12 B ,  H01L 27/14 D
Fターム (24件):
2H047KA04 ,  2H047KA12 ,  2H047MA07 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA04 ,  2H047QA07 ,  2H047RA00 ,  2H047TA00 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118BA06 ,  4M118EA01 ,  4M118FC01 ,  4M118FC16 ,  4M118FC17 ,  4M118FC18 ,  4M118GA09 ,  4M118HA23 ,  5F089BC16 ,  5F089CA21 ,  5F089DA14 ,  5F089DA15
引用特許:
審査官引用 (8件)
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