特許
J-GLOBAL ID：200903059286886400

Si多結晶インゴット、Si多結晶インゴットの製造方法およびSi多結晶ウェハー

発明者：
中嶋 一雄

中嶋 一雄 について

, 
藤原 航三

藤原 航三 について

, 
宇佐美 徳隆

宇佐美 徳隆 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-231575
公開番号（公開出願番号）：特開2009-084145
出願日： 2008年09月09日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】本発明は、高効率な太陽電池用を作製するのに必要な、高品質で高均質な太陽電池用のSi多結晶インゴット、Si多結晶インゴットの製造方法およびSi多結晶ウェハーの提供を目的とする。【解決手段】インゴット全体積の2/3以上の体積部分が平均幅で1cm以上の大きさの結晶粒で占められており、かつ不特定の断面でこのインゴットを切り出した時、その断面積の70%以上が、±15°の範囲内で面方位が同一の結晶面を有する結晶粒で構成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
全体積の2/3以上の体積部分が平均幅で1cm以上の大きさの結晶粒で占められており、かつ不特定の断面で切り出した時、その断面積の70%以上が、±15°の範囲内で面方位が同一の結晶面を有する結晶粒で構成されていることを、特徴とするSi多結晶インゴット。
IPC (2件)：
C01B 33/02 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
C01B33/02 E ,  H01L31/04 X
Fターム (17件)：
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN02 ,  4G072UU02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB05 ,  5F051CB20 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051KA09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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