特許

J-GLOBAL ID：200903059288746443

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高井 一章 ,  谷 耕治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215600
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044375
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。【解決手段】 前記保護膜としてAl2 O3 膜を、3.0〜3.1g/cm3 、あるいはそれ以上の密度に形成する。

請求項（抜粋）：

下側電極と、前記下側電極上に形成された強誘電体絶縁膜と、前記強誘電体絶縁膜上に形成された上側電極とよりなり、酸化物保護膜により覆われた強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、前記酸化物保護膜はAl2 O3 よりなり、膜厚が20nmを超える場合に2.7g/cm3 を超える膜密度を有し、膜厚が20nm以下の場合に3.0g/cm3 を超える膜密度を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 651

Fターム (38件)：

5F045AA19 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045BB04 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF14 ,  5F058BF29 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR05 ,  5F083PR18 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体を用いた半導体集積回路とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150946   出願人：日本電気株式会社
• 低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を具備した集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055558   出願人：三星電子株式会社
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057505   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• プラズマ付着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-140685   出願人：日本電信電話株式会社