特許
J-GLOBAL ID：200903056158283957
低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を具備した集積回路装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055558
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054718
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含む半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 強誘電体膜を含む膜と、絶縁膜と、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との間に形成され、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止し、600°C以下の低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含む。前記金属酸化膜としては、アルミニウム酸化膜が用いられる。前記金属酸化膜で構成された緩衝膜は、強誘電体物質を含む膜と絶縁膜との間に形成され、強誘電体物質を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止する。更に、前記金属酸化膜からなる緩衝膜は、金属膜とシリコンを含む膜との間に形成され、障壁膜として作用する。
請求項（抜粋）：
強誘電体膜を含む膜と、絶縁膜と、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との間に形成され、前記強誘電体膜を含む膜と絶縁膜との相互作用を防止し、600°C以下の低温処理により安定化される金属酸化膜からなる緩衝膜を含むことを特徴とする集積回路装置。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
