特許
J-GLOBAL ID：200903059318397651
光電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089399
公開番号（公開出願番号）：特開2007-265796
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】抵抗損失を低減し、光電変換によって作り出した電力の出力低下を抑えることができる光電変換素子Aを提供する。【解決手段】第一の導電性基板11とこの第一の導電性基板11の一方の面に配設されている色素が担持された半導体層12とから構成される半導体電極1と、この半導体電極1と対向するように半導体層12側に配置され、第二の導電性基板21で構成される対極2と、色素が担持された半導体層12と対極2との間に配置された電解質層3と、この電解質層3を密封する封止部4と、導電性材料で形成され、第一の導電性基板11および第二の導電性基板21の少なくともいずれかに配設されて半導体電極1と対極2の少なくとも一方と電気的に接続接続されている集電体5とを備えており、第一の導電性基板11と第二の導電性基板21のうち少なくとも一方は透光性であり、かつ、集電体5は、色素が担持された半導体層12および電解質層3と接触しないように封止部4の周囲を囲んで配設されていることとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一の導電性基板とこの第一の導電性基板の一方の面に配設されている色素が担持された半導体層とから構成される半導体電極と、この半導体電極と対向するように半導体層側に配置され、第二の導電性基板で構成される対極と、色素が担持された半導体層と対極との間に配置された電解質層と、この電解質層を密封する封止部と、導電性材料で形成され、第一の導電性基板および第二の導電性基板の少なくともいずれかに配設されて半導体電極と対極の少なくとも一方と電気的に接続されている集電体とを備えており、第一の導電性基板と第二の導電性基板のうち少なくとも一方は透光性であり、かつ、集電体は、色素が担持された半導体層および電解質層と接触しないように封止部の周囲を囲んで配設されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC04
, 5H032CC11
, 5H032CC16
, 5H032EE07
, 5H032EE16
