MIS型トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田治米登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209301
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023152
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 MIS型トランジスタにおいて、ゲート電極のゲート絶縁膜側から見た仕事関数を、そのゲート電極の材料のもつ特性値とは異なる値に自由に連続的に制御し、それによりVthを連続的に制御する。【解決手段】 MIS型トランジスタ100A、100Bにおいて、ゲート電極10を、仕事関数が異なる複数種の金属層11、12、13の積層構造とし、かつゲート絶縁膜2に接する第1の金属層11を、原子層CVDにより、膜厚5デバイ長以下に形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート電極が、仕事関数が異なる複数種の金属層の積層構造を有し、かつゲート絶縁膜に接する第1の金属層が、原子層CVD(Atomic Layer Chemical Vapour Deposition: ALCVD)により、膜厚5デバイ長以下に形成されていることを特徴とするMIS型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/285 , H01L 29/43 , H01L 29/786 , C23C 16/06

FI (7件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/06 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 M , H01L 29/62 G

Fターム (76件)：

4K030AA02 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA05 , 4K030BA12 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BB11 , 4K030BB12 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD72 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体及び半導体基板表面の酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199232 出願人：松下電子工業株式会社, 小林光
特開平2-237157
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-040089 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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