特許

J-GLOBAL ID：200903059335763840

磁性メモリ及びその製造方法

発明者： 岡澤 武 ,  沼田 秀昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120253
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314049
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 メモリセルに含まれるトンネル絶縁層に欠陥が発生しにくい磁性メモリとその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の上面側に、段差構造体3’、5’を形成するステップと、段差構造体3’、5’の段差構造体表面3a’、3b’、5a’に、磁性体膜6とトンネル絶縁膜7とを順次に形成するステップと、トンネル絶縁膜7の一部をエッチングして、トンネル絶縁層7’を形成するステップとを備えている。トンネル絶縁膜7は、段差構造体表面3a’,3b’,5a’を覆い、屈曲して形成される。トンネル絶縁膜7に印加される機械的ストレスは屈曲部Aに集中し、従って、トンネル絶縁膜7に発生する欠陥は、屈曲部Aの近傍に集中する。このとき、トンネルに絶縁層7’の全体が、第1面3a’の上方に形成されることにより、トンネル絶縁層7’には、欠陥が含まれにくくなる。

請求項（抜粋）：

基板の上面側に、第1磁性体膜を形成するステップと、前記第1磁性体膜の上面に、トンネル絶縁膜を形成するステップと、前記トンネル絶縁膜の上面に、第2磁性体膜を形成するステップと、前記第1磁性体膜と前記トンネル絶縁膜と前記第2磁性体膜とをエッチングして、メモリセルを形成するステップとを備え、前記トンネル絶縁膜は、屈曲された屈曲部を含み、前記メモリセルを形成するステップは、前記屈曲部が前記メモリセルに含まれないように、前記トンネル絶縁膜をエッチングするステップを含む磁性メモリの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA40 ,  5F083PR03 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁性メモリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337406   出願人：日本ビクター株式会社
• 磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いた半導体記憶装置、およびこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-301459   出願人：株式会社東芝
• 磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256695   出願人：株式会社東芝
• 薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025056   出願人：株式会社日立製作所