半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270790
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】クロストークの問題を回避することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、第1の方向に延在する複数のビット線21と、このビット線21に接続する複数のTMR素子20と、第1の方向と異なる第2の方向に延在し、TMR素子20を挟んでビット線21と反対側に、TMR素子20と離間して配置された複数のワード線19と、隣接するワード線19にそれぞれ接続するトランジスタ23とを具備する。

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在する複数の第1の配線と、前記第1の配線に接続する複数の記憶素子と、前記第1の方向と異なる第2の方向に延在し、前記記憶素子を挟んで前記第1の配線と反対側に、前記記憶素子と離間して配置された複数の第2の配線と、隣接する前記第2の配線にそれぞれ接続する第1のトランジスタ又は第1のダイオードとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083GA12 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA18 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-254074 出願人：株式会社東芝
磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-187070 出願人：株式会社東芝
磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302354 出願人：キヤノン株式会社

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