特許
J-GLOBAL ID：200903059442334242

電界放出素子

発明者：
朴 相 鉉

朴 相 鉉 について

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李 亢 雨

李 亢 雨 について

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金 維 鍾

金 維 鍾 について

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安 弼 洙

安 弼 洙 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-360108
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146376
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 電界放出素子を提供する。【解決手段】 基板20と、基板20上に形成されるカソード電極21と、カソード電極21上に形成されるものであって、その底部にカソード電極21の一部が露出されるウェル22aを有するゲート絶縁層22と、ウェル22aの底部に露出されたカソード電極21上に形成される電子放出物質層23と、ゲート絶縁層22上に形成され、ウェル22aに対応するゲートホール24aを有するゲート電極24と、を備え、ゲート電極24において、ゲートホール24aが形成される部分にゲートホール24aを中心に電子ビームの進行方向にフォーカシング電界を形成する筒型電極部23を有する。したがって、放出される電子にフォーカス電界が形成されて電子が進行しつつ収束してフォーカシングされる。よって、色純度が向上し、輝度も高まり、結果的に耐久性を向上させる。【選択図】 図3A
請求項（抜粋）：
基板と、 基板上に形成されるカソード電極と、 前記カソード電極上に形成されるものであって、その底部に前記カソード電極の一部が露出されるウェルを有するゲート絶縁層と、 前記ウェルの底部に露出されたカソード電極上に形成される電子放出物質層と、 前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ウェルに対応するゲートホールを有するゲート電極と、を備え、 前記ゲート電極において、前記ゲートホールが形成される部分にゲートホールを中心に電子ビームの進行方向にフォーカシング電界を形成する筒型電極部が設けられていることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件)：
H01J1/304 ,  H01J9/02
FI (2件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
Fターム (24件)：
5C127AA01 ,  5C127BA03 ,  5C127BA06 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC02 ,  5C127CC03 ,  5C127CC08 ,  5C127DD13 ,  5C127DD42 ,  5C127DD52 ,  5C135AA03 ,  5C135AA06 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB20 ,  5C135AC02 ,  5C135AC07 ,  5C135AC12 ,  5C135AC23 ,  5C135AC30 ,  5C135FF19 ,  5C135HH05 ,  5C135HH07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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