特許
J-GLOBAL ID：200903059500434384
液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-234178
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】液浸露光時に於ける、PEB温度依存性、液浸液追随性が改善された液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、 (C)溶剤及び (D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有し、且つ(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤の含有量が、1000ppm以上である液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、
(C)溶剤及び
(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤
を含有し、且つ(D)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤の含有量が、1000ppm以上であることを特徴とする液浸プロセス用化学増幅型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/039
, G03F7/004
, H01L21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 504
, H01L21/30 502R
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025CC04
, 2H025FA01
, 2H025FA08
, 2H025FA17
出願人引用 (3件)
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特公昭63-49893号公報
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液浸式投影露光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-296518
出願人：キヤノン株式会社
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液浸型露光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-121757
出願人：株式会社ニコン
審査官引用 (3件)
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