半導体発光素子および発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小谷悦司 , 植木久一 , 伊藤孝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-181768
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019653
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】光取り出し効率を高める。【解決手段】発光波長(青色)に対して透明性を有する窒化ガリウムを材料とする導電性基板1が、光取り出し面側に配置される。導電性基板1の上に発光層3を含む半導体膜10が形成される。導電性基板1の主面には後退部6が選択的に形成され、n電極7は後退部6を充填するように設けられている。導電性基板1がある程度の厚さを有し、かつn電極7が後退部6の側壁を通じて導電性基板1に接続されるために、電流が導電性基板1の全体に広がり易く、発光層3の全体に効率よく電流が供給される。より好ましくは、導電性基板1の側面に、後退部6およびこれを充填するn電極7の左半分または右半分に相当する部分が形成される。この場合、導電性基板1の側面に露出するn電極7の側面を通じて、外部との電気的接続が達成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光波長に対して透明性を有し一方主面に選択的に後退部が形成された導電性基板と、前記導電性基板の他方主面の上に形成され発光層を有する半導体膜と、前記後退部に充填された第1電極と、前記半導体膜の前記導電性基板とは反対側主面に形成された第2電極と、を備える半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052943 出願人：住友電気工業株式会社
発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050631 出願人：株式会社ジャパンエナジー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-040271 出願人：松下電工株式会社

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審査官引用 (8件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179591 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052943 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭61-296779

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