特許
J-GLOBAL ID：200903037160112944
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358364
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 光取り出し効率を向上させる。【解決手段】 透光性を有する半導体基板100、この半導体基板100上に、半導体基板100に対して格子整合したバッファ層101、バッファ層101上に形成された発光層104、バッファ層101上に配置された第1電極107、発光層104上に配置された第2電極108を備え、発光層104から出射された光を透光性を有する基板100側から取り出すことで、光取り出し効率が向上する。
請求項（抜粋）：
透光性を有する半導体基板と、前記半導体基板上に、前記半導体基板に対して格子整合したバッファ層と、前記バッファ層上に形成された発光層と、前記バッファ層上に配置された第1の電極と、前記発光層上に配置され、光反射性を有する第2の電極と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CB15
, 5F041CB27
, 5F041CB28
, 5F041CB29
, 5F041EE22
, 5F041EE23
