特許
J-GLOBAL ID:200903059627336683
新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-304060
公開番号(公開出願番号):特開2005-068117
出願日: 2003年08月28日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 化学増幅型レジスト材料に好適なスルホニルジアゾメタン化合物及び光酸発生剤、並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法の提供。【解決手段】 下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物及び該化合物を含んでなる光酸発生剤。また、(A)酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂と、(B)放射線照射により酸を発生する上記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物とを含んでなる化学増幅型レジスト材料。さらに、このレジスト材料を基板上に塗布する工程と、次いで加熱処理する工程と、露光する工程と、その後、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含んでなるパターン形成方法。例えば、【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるスルホニルジアゾメタン化合物。
IPC (6件):
C07C317/28
, C07D317/56
, C09K3/00
, G03F7/004
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (7件):
C07C317/28
, C07D317/56
, C09K3/00 K
, G03F7/004 501
, G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (20件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB55
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB81
, 4H006AB92
引用特許:
出願人引用 (9件)
-
特許3024621号公報
-
特開平3-103854号公報)
-
化学増幅型レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-198979
出願人:東京応化工業株式会社
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審査官引用 (6件)
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