絶縁膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-256205
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088256
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜を提供する。【解決手段】基板上に、2つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物と重合開始剤とを含有する膜構造を形成した後、紫外線照射により前記膜を硬化することによって形成されたことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、2つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物と重合開始剤とを含有する膜構造を形成した後、紫外線照射により前記膜を硬化することによって形成されたことを特徴とする半導体デバイスの絶縁膜。

IPC (2件)：

H01L 21/312 , C08F 275/00

FI (2件)：

H01L21/312 C , C08F275/00

Fターム (18件)：

4J026AA63 , 4J026BA43 , 4J026BB01 , 4J026DA02 , 4J026DA08 , 4J026DA12 , 4J026DB06 , 4J026DB36 , 4J026GA06 , 5F058AA06 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH02 , 5F058BD19

引用特許：

出願人引用 (1件)

かご状シルセスキオキサン含有皮膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-150069 出願人：コニカ株式会社

審査官引用 (5件)

絶縁膜形成用組成物、絶縁膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-202036 出願人：富士フイルム株式会社
絶縁膜形成用材料及びそれを用いた絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-183875 出願人：富士写真フイルム株式会社
オルガノセスキシロキサン前駆体を使用する膜の堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-531850 出願人：アライドシグナル・インコーポレイテツド

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