半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮越典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000782
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200787
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】配線間のフリンジ効果を防止し、配線間容量を減少せしめ、かつ密着不良無しで多層配線を形成する。【解決手段】多層配線中の少なくとも1層の層間絶縁膜を形成する手段として、プラズマCVD法または高密度プラズマCVD法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。上記プラズマCVD法または高密度プラズマCVD法には、SiH4+PH3+O2又はSiH4+PH3+N2Oを成分とするガスを使用することも開示している。また、多層配線中の少なくとも1層の層間絶縁膜を形成する他の工程として、平行平板プラズマCVD法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。上記平行平板プラズマCVD法には、SiH4+N2O+PH3+N2 又はSiH4+CO+PH3+N2又はSiH4+CO2+PH3+N2 を成分とするガスを使用することも開示している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、銅配線と、少なくとも該銅配線の一部を被覆する層間絶縁膜とを含んで成る多層配線が形成される半導体装置の製造方法において、前記多層配線中の少なくとも1層の層間絶縁膜を形成する工程として、プラズマCVD法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 P

Fターム (42件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR04 , 5F033RR14 , 5F033RR21 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF32 , 5F058BF33 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-301548
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-007147 出願人：日本電気株式会社
特開平3-203240

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