特許
J-GLOBAL ID：200903092625112220

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

, 
小田 典明

小田 典明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007147
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204642
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【目的】 ハイドロジェンシルセスキオクサン(HSQ)を用いたSOG膜の形成する際の焼成工程において、HSQが他(特に下層膜)から放出される水分と反応して誘電率が上昇するのを防止する。【構成】 第1の層間絶縁膜であるシリコン酸化膜302上に金属配線303を形成し(a)、HSQ-SOG膜305を形成した(b)後、CVD法によりシリコン酸化膜306を形成し(c)、CMPにより平坦化して第2の層間絶縁膜(305、6)を形成する(d)工程を有するものにおいて、シリコン酸化膜302の水分含有率はHSQ-SOG膜305のそれより低くなるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の層間絶縁膜上に配線層が形成され、その上に、Si-H結合を有する低誘電率絶縁層を含む第2の層間絶縁膜が形成されている半導体装置において、前記低誘電率絶縁層の下層の該低誘電率絶縁層が直接接する絶縁層の水分含有率は前記低誘電率絶縁層のそれより低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 Q
引用特許：
審査官引用 (9件)
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