特許
J-GLOBAL ID：200903059785317670
窒化物系半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012872
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218469
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 高出力、長寿命の窒化物系半導体レーザ装置を得る。また、波長450nm以上の長波長の窒化物系半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 障壁層と井戸層とを交互に複数積層した多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系半導体レーザ装置において、障壁層の膜厚を薄くし、障壁層に所定の濃度の第1導電型不純物を添加する。
請求項（抜粋）：
n型の半導体からなるn型クラッド層と、p型の半導体からなるp型クラッド層と、前記n型クラッド層と前記p型クラッド層との間に形成され、窒化物系半導体からなり、前記n型クラッド層および前記p型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが小さい量子井戸層と、前記量子井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層と、を交互に複数積層した多重量子井戸構造を有し、前記障壁層が、所定の濃度のn型不純物が添加され膜厚が前記量子井戸層よりも薄い、活性層と、を備えることを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置。
Fターム (24件)：
5F073AA07
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073BA09
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB13
, 5F073CB19
, 5F073CB20
, 5F073DA05
, 5F073DA11
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA07
, 5F073EA24
, 5F073EA29
