特許
J-GLOBAL ID：200903059787727514

化合物半導体装置およびその製造方法

発明者：
岸本 克彦

岸本 克彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310465
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154714
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 n型のInGaAs層とこれに接するPt(Pd)の金属層との安定性のよい良好なオーミック接触を実現する。【解決手段】 電極のPt(Pd)層11の厚さをBとし、これに接する厚さAのn型のInx Ga1-x As層3のInとGaとの混晶比を0.4以上とし、両者の厚さの関係をA>2Bとする。Inx Ga1-x As層3の上方にはPtの拡散層が形成されるが、その下方にはInx Ga1-x As層3が残っている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体が積層されており、その表面には、n型のInx Ga1-x As(0.4≦x≦1.0)の層と、その上のPtまたはPdまたはそれらの合金のうちの1つを含むn型のInx Ga1-x As(0.4≦x≦1.0)の層と、さらにその表面のPtまたはPdまたはそれらの合金のうちの1つの層とが順に積層された構造を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/80
FI (3件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/80
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-075587   出願人：シャープ株式会社
  • 化合物半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-050741   出願人：株式会社東芝
  • 自己整合InP系HBT
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-044540   出願人：住友電気工業株式会社
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