特許
J-GLOBAL ID：200903059859360750

電界効果トランジスタおよびサイリスタ

発明者：
水 上 誠

水 上 誠 について

, 
四 戸 孝

四 戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006396
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013087
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】耐圧の低下を可及的に防止することを可能にする。【解決手段】SiCからなるドレイン領域2と、ドレイン領域上に設けられたn型のSiCからなるドリフト層4と、ドリフト層の表面に設けられたn型のSiCからなるソース領域18と、ソース領域の側部のドリフト層の表面に設けられたSiCからなるチャネル領域12aと、チャネル領域上に設けられた絶縁ゲート22と、ソース領域の底部とドリフト領域との間に設けられ2種類のp型不純物を含むp型のベース領域15と、を備えている。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
SiCからなるドレイン領域と、前記ドレイン領域上に設けられたn型のSiCからなるドリフト層と、前記ドリフト層の表面に設けられたn型のSiCからなるソース領域と、前記ソース領域の側部の前記ドリフト層の表面に設けられたSiCからなるチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられた絶縁ゲートと、前記ソース領域の底部と前記ドリフト領域との間に設けられ2種類のp型不純物を含むp型のベース領域と、を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739
FI (7件)：
H01L29/78 652D ,  H01L29/80 V ,  H01L29/74 M ,  H01L29/74 C ,  H01L29/80 C ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655A
Fターム (14件)：
5F005AA03 ,  5F005AB01 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AD01 ,  5F005AF02 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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