抵抗変化素子、抵抗変化メモリおよびそれらの作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-213743
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049183
出願日： 2007年08月20日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】抵抗変化素子のスイッチング動作にともなう消費電力、及び/又は初期フォーミング電圧を低減する。【解決手段】抵抗変化素子は、一対の金属電極にはさまれた抵抗変化膜を有し、前記抵抗変化膜は、1%〜5%の濃度の窒素原子及び金属酸化物を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一対の金属電極にはさまれた抵抗変化膜を有する抵抗変化素子であって、前記抵抗変化膜は、1%〜5%の濃度の窒素原子及び金属酸化物を含むことを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR22 , 5F083PR36

引用特許：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (4件)

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