特許
J-GLOBAL ID：200903083339539543
抵抗変化型記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山田 正紀
, 三上 結
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375259
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180176
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】 フォーミングの処理を行わずに動作する工夫が施された抵抗変化型記憶素子を提供する。【解決手段】 上記目的を達成する本発明の抵抗変化型記憶素子は、半導体基板11上に形成されて、印加電圧に応じて前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とが切り替わる酸化物の多結晶で形成されるとともに、酸素原子とは異なる異種原子が該酸化物の結晶粒界に結合している抵抗変化型記憶膜13と、前記抵抗変化型記憶膜13を挟んで配備された、該抵抗変化型記憶膜に電圧を印加する一対の電極膜12a、12bとを備えたことを特徴とする抵抗変化型記憶素子。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
印加電圧に応じて、高抵抗状態と該高抵抗状態よりも電流が流れやすい低抵抗状態とに切り替わり、該高抵抗状態と該低抵抗状態とを選択的に保持する抵抗変化型記憶素子において、
半導体基板上に形成されて、印加電圧に応じて前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とが切り替わる酸化物の多結晶で形成されるとともに、酸素原子とは異なる異種原子が該酸化物の結晶粒界に結合している抵抗変化型記憶膜と、
前記抵抗変化型記憶膜を挟んで配備された、該抵抗変化型記憶膜に電圧を印加する一対の電極膜とを備えたことを特徴とする抵抗変化型記憶素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA42
