特許
J-GLOBAL ID:200903059870821743

透明導電性基材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上田 章三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-187576
公開番号(公開出願番号):特開2002-008461
出願日: 2000年06月22日
公開日(公表日): 2002年01月11日
要約:
【要約】【課題】 5×103 Ω/□以下の導電性、低反射率、高透過率を有する透明導電性基材を簡便、低コストで製造できる透明導電性基材の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板、この基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材の製造方法であって、溶媒中に平均粒子径5〜100nmのインジウム錫酸化物微粒子が分散された透明導電層形成用塗液をガラス基板上に塗布し、続けてシリカゾルを主成分とする透明コート層形成用塗布液を塗布した後、大気中、300〜700°Cの高温で焼成し、冷却した後、インジウム錫酸化物微粒子を含有する透明導電層と酸化珪素を主成分とする透明コート層とで構成された上記透明2層膜を還元性溶液に接触させて低抵抗化処理することを特徴とする。
請求項(抜粋):
ガラス基板、および、この基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材の製造方法において、溶媒中に平均粒子径5〜100nmのインジウム錫酸化物微粒子が分散された透明導電層形成用塗液をガラス基板上に塗布し、続けてシリカゾルを主成分とする透明コート層形成用塗布液を塗布した後、大気中、300〜700°Cの高温で焼成し、冷却した後、インジウム錫酸化物微粒子を含有する透明導電層と酸化珪素を主成分とする透明コート層とで構成された上記透明2層膜を還元性溶液に接触させて低抵抗化処理することを特徴とする透明導電性基材の製造方法。
IPC (9件):
H01B 13/00 503 ,  B05D 3/02 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 303 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 17/06 ,  B32B 31/22 ,  H01J 9/20
FI (9件):
H01B 13/00 503 B ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 5/12 B ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 303 B ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 17/06 ,  B32B 31/22 ,  H01J 9/20 A
Fターム (39件):
4D075AE03 ,  4D075BB28Z ,  4D075CA22 ,  4D075CB06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC21 ,  4D075EB02 ,  4D075EC02 ,  4F100AA17B ,  4F100AA20C ,  4F100AA33B ,  4F100AG00A ,  4F100AK52 ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100CA21B ,  4F100CC00B ,  4F100CC00C ,  4F100DE01B ,  4F100EG002 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ143 ,  4F100EJ482 ,  4F100EJ502 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JM01C ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  5C028AA01 ,  5C028AA02 ,  5C028AA04 ,  5C028AA07 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01 ,  5G323BC02
引用特許:
出願人引用 (7件)
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