特許
J-GLOBAL ID：200903059880460005

半導体レーザー

発明者：
内田 史朗

内田 史朗 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302064
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144992
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInP系の自励発振型半導体レーザーにおいて、高温においても、確実に自励発振動作を持続することができるようにする。【解決手段】 少なくとも活性層3と、p型クラッド層2と、n型クラッド層4とを有し、活性層に対するストライプ状電流通路を挟んでその両側に、電流狭搾および光吸収がなされるブロック層6を有するAlGaInP系半導体レーザーにおいて、p型クラッド層4あるいはn型クラッド層2の少なくともいずれか一方に、活性層3の厚さ方向の光の分布のピーク位置を、上記ブロック層6より遠ざける方向にシフトさせる自励発振安定化層10を配置した構成とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも活性層と、p型クラッド層と、n型クラッド層とを有し、上記活性層に対するストライプ状電流通路を挟んでその両側に、電流狭搾および光吸収がなされるブロック層を有するAlGaInP系半導体レーザーにおいて、上記p型クラッド層あるいはn型クラッド層の少なくともいずれか一方に、上記活性層の厚さ方向の光の分布のピーク位置を、上記ブロック層より遠ざける方向にシフトさせる自励発振安定化層を配置してなることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042837   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346629   出願人：三洋電機株式会社

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