トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122146
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294737
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜306と第二の強磁性膜308と第一の非磁性膜307で構成される自由層を持ち、自由層に(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜305を介して固定層3021を積層した構造を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し、前記絶縁膜は(100)配向した岩塩構造のMgO膜であり、前記強磁性自由層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し、前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合しており、前記強磁性膜固定層はCoとFeとBを含有する体心立方構造の膜を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/10 , H01L 29/82 , H01F 10/32

FI (5件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , H01L29/82 Z , H01F10/32

Fターム (41件)：

4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA25 , 5E049CB02 , 5E049DB14 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC18 , 5F092BC22 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE27 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第5,695,864号明細書
記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375089 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
磁気記録素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-104480 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

磁気デバイス用アモルファス合金
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-532831 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (2件)

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