特許
J-GLOBAL ID：200903097759132830

磁気記録素子及び磁気メモリ

発明者：
中村 志保

中村 志保 について

, 
羽根田 茂

羽根田 茂 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-104480
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294376
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 電流直接駆動による磁化反転の際に、外乱となる外部からの侵入磁界に対して安定に動作する磁気記録素子及び磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 基板の上に直接あるいは間接的に形成され、非磁性層を介して積層された複数の強磁性層を有する記録部を備え、 前記非磁性層を介して隣接する前記強磁性層は、反強磁性結合してなり、前記複数の強磁性層のうちで第1の方向の磁化を有する強磁性層の磁化の合計と、前記複数の強磁性層のうちで前記第1の方向とは反対の第2の方向の磁化を有する強磁性層の磁化の合計と、が略同一であり、前記複数の強磁性層のそれぞれの磁化を反転可能とし、前記複数の強磁性層のうちで前記基板から最も遠い強磁性層の厚さが前記基板に最も近い強磁性層の厚さよりも大なることを特徴とする磁気記録素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に直接あるいは間接的に形成され、非磁性層を介して積層された複数の強磁性層を有する記録部を備え、 前記非磁性層を介して隣接する前記強磁性層は、反強磁性結合してなり、 前記複数の強磁性層のうちで第1の方向の磁化を有する強磁性層の磁化の合計と、前記複数の強磁性層のうちで前記第1の方向とは反対の第2の方向の磁化を有する強磁性層の磁化の合計と、が略同一であり、 前記複数の強磁性層のそれぞれの磁化を反転可能とし、 前記複数の強磁性層のうちで前記基板から最も遠い強磁性層の厚さが前記基板に最も近い強磁性層の厚さよりも大なることを特徴とする磁気記録素子。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447
Fターム (6件)：
5F083FZ02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083PR04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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