特許
J-GLOBAL ID：200903076864987933
磁気デバイス用アモルファス合金
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-532831
公開番号（公開出願番号）：特表2005-539376
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
磁気エレクトロニクス・デバイスへの使用に適するコバルト鉄(CoFe)をベースとする磁性合金から成るアモルファス層が開示される。本発明の最適な実施形態では、少なくとも一つのアモルファス層がMTJ積層構造に設けられて、MTJ積層構造の種々の層の平滑性が高められ、同時に、結果として得られるデバイスの磁気性能も向上する。さらに、本発明の合金は、磁気エレクトロニクス・デバイスの信号ラインに電流により磁束を発生させるクラッド用途においても有用であり、かつ、書き込みヘッドの形成材料としても有用である。
請求項（抜粋）：
磁気トンネル接合部であって、
第1強磁性層と、
前記第1強磁性層上に形成されたスペーサ層と、
前記スペーサ層上に形成された第2強磁性層と、を備え、
前記第1強磁性層及び前記第2強磁性層のうちの少なくとも一つがアモルファス(Co100-X FeX)100-YDY合金であり、該アモルファス合金においてはXが約10.5原子重量%〜25原子重量%の範囲内であり、
Dは、ボロン(B)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ボロン-炭素(B-C)、タンタル-炭素(Ta-C)、及びハフニウム-炭素(Hf-C)のうちの少なくとも一つを含む、磁気トンネル接合部。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/13
, H01F10/32
, H01L27/105
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/13
, H01F10/32
, H01L27/10 447
5D034BA05
, 5E049AA04
, 5E049AA10
, 5E049AC01
, 5E049BA06
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA40
