化学気相成長方法、化学気相成長方法に用いる補助原料、及び化学気相成長方法によって作製された膜並びに素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：宇高克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265521
公開番号（公開出願番号）：特開2002-069639
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】金属のβ-ジケトネート錯体を用いてのCVDで膜を形成しようとした場合において、膜が綺麗に出来る成膜技術を提供することである。【解決手段】化学気相成長方法であって、金属のβ-ジケトネート錯体とα,β-不飽和アルコールとを用いる。

請求項（抜粋）：

化学気相成長方法であって、金属のβ-ジケトネート錯体とα,β-不飽和アルコールとを用いることを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (2件)：

C23C 16/18 , H01L 21/316

FI (2件)：

C23C 16/18 , H01L 21/316 X

Fターム (13件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA04 , 4K030BA10 , 4K030BA13 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030FA10 , 5F058BC03 , 5F058BF27 , 5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162825 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068842 出願人：川崎製鉄株式会社
有機金属化学気相成長方法および有機金属化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015668 出願人：日本電気株式会社

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