特許
J-GLOBAL ID：200903059966600772
VCSELにおける横断バンドギャップ構造を使用するモードの制御
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 下道 晶久
, 西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572685
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521499
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
第1及び/又は第2ミラーの内部、又は、これらに隣接して、或いは、利得領域と、ミラーの中の少なくとも1つの間に位置するスペーサ領域の内部に形成されたフォトニックバンドギャップ(PBG)領域を備える垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)。このPBG領域は、生成された光がこの領域を伝播することを実質的に妨げる予め定められた周期性を備えており、生成光がアパーチャを通じて伝播することを許容するべく周期性を有していない光アパーチャを定義している。PBG領域は、利得領域を貫通して延長してはおらず、この結果、利得領域をフルに使用可能である。損失を伴わずに特定モードのレーザ動作を抑圧又は防止することにより、レーザ動作の効率が制御されており、正確に表現するならば、それらのモードが禁止されている。これらの禁止モードのエネルギーは、最終的に許容モードに結合される。エネルギー損失を伴わずに、利得領域の狭窄とモード制御の分離が提供されている。
請求項（抜粋）：
垂直共振器面発光レーザであって、
光を生成し、前記生成した光を放出するべく適合された利得領域を備える半導体材料層と、
前記利得領域と、前記利得領域と第1及び/又は第2ミラーとの間に位置する少なくとも1つのスペーサ層と、を有するレーザ共振器を形成する前記第1及び第2の少なくとも実質的に平行なミラーであって、前記ミラーの少なくとも1つは、前記利得領域内で生成された光が前記少なくとも1つのミラーを通じて放出されるのを許容するべく、前記生成光に対して部分的に透明であり、前記レーザ共振器と前記利得領域は、前記生成光の少なくとも1つの横電磁モードをサポートする第1及び第2の少なくとも実質的に平行なミラーと、
前記第1及び/又は前記第2ミラーの内部又は、これらに隣接して、或いは前記少なくとも1つのスペーサ層の中の1つの内部に形成されたフォトニックバンドギャップ領域であって、前記フォトニックバンドギャップ領域は、前記第1及び第2ミラーに対して少なくとも実質的に平行に位置しており、前記フォトニックバンドギャップ領域は、前記生成光が前記領域内を伝播することを実質的に妨げる予め定められた周期性を備えており、更に、前記フォトニックバンドギャップ領域は、前記生成光が光アパーチャを通じて伝播することを許容するべく、前記予め定められた周期性を有していない光アパーチャを定義しており、前記フォトニックバンドギャップ領域と前記光アパーチャの寸法は、それぞれの横電磁モードのレーザ動作の効率を少なくとも部分的に制御するべく適合されており、前記第1及び第2ミラーに実質的に垂直の方向の前記フォトニックバンドギャップ領域の寸法は、前記方向の前記垂直共振器面発光レーザの全体寸法よりも大幅に小さいフォトニックバンドギャップ領域と、を有する垂直共振器面発光レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S5/065 610
, H01S5/183
5F073AA03
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB02
, 5F073AB17
, 5F073EA22
, 5F073EA29
