特許
J-GLOBAL ID：200903059991350586
強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びFeRAM
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153744
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356464
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】強誘電体素子において、強誘電体膜の結晶構造を向上させ、強誘電体素子の特性を向上させることにある。【解決手段】絶縁膜4上に接触膜12,13,14,15、下部電極16、強誘電体膜17及び上部電極18を順次形成するステップと、上部電極18及び強誘電体膜17をエッチングするステップと、接触膜12,13,14,15が下部電極16で覆われた状態で、強誘電体膜17の熱処理を行うステップと、を含む強誘電体素子の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に接触膜、下部電極、強誘電体膜及び上部電極を順次形成するステップと、
前記上部電極及び強誘電体膜をエッチングするステップと、
前記接触膜が前記下部電極で覆われた状態で、前記強誘電体膜の熱処理を行うステップと、
を含む強誘電体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F083FR02
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA55
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR29
, 5F083PR33
, 5F083PR34
