特許
J-GLOBAL ID：200903088813460335
強誘電体キャパシタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300294
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203949
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】半導体メモリ素子の強誘電体キャパシタを提供する。【解決手段】半導体基板の不純物領域と接続されるように形成された第1電極膜パターン上に強誘電体膜パターン、第2電極膜パターン、保護膜及び層間絶縁膜が順次配される。前記保護膜は、第1電極膜パターン、強誘電体膜パターン及び第2電極膜パターンを覆うように形成され、水素成分が強誘電体膜パターンに浸透できないようにする絶縁性の膜である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の不純物領域と接続されるように形成された第1電極膜パターンと、前記第1電極膜パターン上に形成された強誘電体膜パターンと、前記強誘電体膜パターン上に形成された第2電極膜パターンと、前記第1電極膜パターン、前記強誘電体膜パターン及び前記第2電極膜パターンを覆うように形成され、水素成分が前記強誘電体膜パターンに侵入できないようにする絶縁性の保護膜と、前記保護膜上に形成された層間絶縁膜とを備えることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
Fターム (14件)：
5F083FR02
, 5F083GA28
, 5F083JA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR07
, 5F083PR33
