特許
J-GLOBAL ID：200903060056833500

配線基板の製造方法

発明者：
福島 基夫

福島 基夫 について

, 
森 滋

森 滋 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349417
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【解決手段】 Si-Si結合又はSi-H結合を有するケイ素系高分子化合物の薄膜をパターン化した基板を金属塩を含む溶液に浸漬することにより上記パターン上に該金属塩の金属を還元、析出させ、次いで無電解メッキ液に浸漬して、この還元金属を触媒として無電解メッキを行うことからなる、パターン化金属で被覆された配線基板を製造する方法において、上記金属塩を含む溶液に浸漬する前に、上記基板を界面活性剤を含む溶液に浸漬することを特徴とする配線基板の製造方法。【効果】 本発明の配線基板の製造方法によれば、安価で簡便な工程により、基板の種類を選ばず、パターンの転写精度が高く金属と基板の接着性に優れた金属パターン配線を得ることができ、各種プリント基板、フレキシブルスイッチ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用保護膜、電磁波シールド用筐体等に応用可能な、有用な導電配線基板の形成方法として、電気、電子、通信分野に広く用い得る。
請求項（抜粋）：
Si-Si結合又はSi-H結合を有するケイ素系高分子化合物の薄膜をパターン化した基板を金属塩を含む溶液に浸漬することにより上記パターン上に該金属塩の金属を還元、析出させ、次いで無電解メッキ液に浸漬して、この還元金属を触媒として無電解メッキを行うことからなる、パターン化金属で被覆された配線基板を製造する方法において、上記金属塩を含む溶液に浸漬する前に、上記基板を界面活性剤を含む溶液に浸漬することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/18 ,  C08L 83/16 ,  C23C 18/28 ,  H05K 3/38
FI (4件)：
H05K 3/18 A ,  C08L 83/16 ,  C23C 18/28 Z ,  H05K 3/38 A
Fターム (43件)：
4J002CP011 ,  4J002CP041 ,  4J002EX016 ,  4J002EX036 ,  4J002EX066 ,  4J002EX076 ,  4J002EX086 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA15 ,  4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA12 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022DB24 ,  5E343AA18 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343CC71 ,  5E343CC73 ,  5E343DD02 ,  5E343DD33 ,  5E343EE42 ,  5E343EE52 ,  5E343FF02 ,  5E343GG20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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