特許
J-GLOBAL ID：200903060063580706
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びに位相シフト膜の成膜方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-093796
公開番号（公開出願番号）：特開2004-302024
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【解決手段】透明基板上に組成の異なる2層の位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクにおいて、上記各層の膜構成元素がそれぞれ金属元素Si、N、Oからなり、かつ上記2層の界面において一方の膜組成から他方の膜組成に組成が変化する傾斜膜部分を有することを特徴とする位相シフトマスクブランク。【効果】本発明によれば、従来の2層膜構造の位相シフト膜に比べて0.2μmアップのパーティクルの低減が可能である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に組成の異なる2層の位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクにおいて、上記各層の膜構成元素がそれぞれ金属元素、Si、N、Oからなり、かつ上記2層の界面において一方の膜組成から他方の膜組成に組成が変化する傾斜膜部分を有することを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 K
, G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BB27
, 2H095BC05
, 2H095BC08
