位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212782
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023342
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【解決手段】透明基板上に金属とシリコンとを主成分とした位相シフト膜を少なくとも一層設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフトマスクブランクにパターンを形成する際の反応性イオンエッチングにおける上記透明基板のエッチングレート(A)に対する位相シフト膜のエッチングレート(B)の比であるエッチング選択比(B/A)が5.0以上であることを特徴とする位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク。【効果】本発明によれば、位相シフトマスク製造時に基板を過度にエッチングされにくく、パターン部の位相差の制御性が良く、面内均一性が良く、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができる位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法を提供することができる。

請求項（抜粋）：

透明基板上に金属とシリコンとを主成分とした位相シフト膜を少なくとも一層設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフトマスクブランクにパターンを形成する際の反応性イオンエッチングにおける上記透明基板のエッチングレート(A)に対する位相シフト膜のエッチングレート(B)の比であるエッチング選択比(B/A)が5.0以上であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BA01 , 2H095BB03 , 2H095BB16

引用特許：

審査官引用 (4件)

フォトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-244898 出願人：ホーヤ株式会社
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-181452 出願人：ホーヤ株式会社
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-038118 出願人：ホーヤ株式会社

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