特許
J-GLOBAL ID：200903060085353258

半導体装置およびその製造方法

発明者：
相原 育貴

相原 育貴 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-018214
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210499
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 フィラーアタックの問題を解消して、優れた高周波特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板1の上には、複数のゲート電極4と、ドレイン電極3と、ドレイン電極3の両側にゲート電極4を挟んで配置された第1のソース電極2および第2のソース電極2 ́とが形成されている。また、第1のソース電極2および第2のソース電極2 ́の間にはエアブリッジ5が設けられており、ゲート電極4とエアブリッジ5の間は中空となっている。さらに、エアブリッジ5には、平面で見てゲート電極4と重ならない領域に第1の開口部14が設けられており、第1の開口部14は金属9で塞がれている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された複数のゲート電極を有する半導体装置であって、 前記半導体基板の上に形成されたドレイン電極と、 前記ドレイン電極の両側に前記ゲート電極を挟んで配置された第1のソース電極および第2のソース電極と、 前記第1のソース電極および前記第2のソース電極を電気的に接続するエアブリッジとを備え、 前記ゲート電極と前記エアブリッジとの間は中空となっていて、 前記エアブリッジには、平面で見て前記ゲート電極と重ならない領域に開口部が設けられており、該開口部が金属で塞がれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/095 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338
FI (2件)：
H01L29/80 E ,  H01L29/80 G
Fターム (17件)：
5F102FA00 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (5件)
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