ブラインドビアホール充填方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142549
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328185
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】ブラインドビアホール内部に空隙を残すことなく、導電性の優れた金属銅を充填する方法を提供すること。【解決手段】硫酸銅めっき浴として、(イ)1分子内につき少なくとも5個のエーテル酸素原子を含むポリエーテル及び(ロ)R1- S - (CH2O)n - R2 - SO3Mとの化学式(式中、R1は、水素原子、- (S)n - (CH2O)n -R2 -SO3M、又は、- CSn - (CH2O)n-R2 -SO3Mを示し、R2は、炭素原子3〜8個を含むアルキレン基を示し、Mは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてnは、0又は1を示す。)にて示される化合物を含有する硫酸銅めっき浴を使用する。そして、被めっき物のめっき下地層からなる一方の電極と、硫酸銅めっき浴中に浸漬された他方の電極に対して正電解時間1〜50msec、逆電解時間0.2〜5msec、休止時間1〜50msecの周期で電流を逆転させながら、電気銅めっきを行なう。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハー上にエッチングによりブラインドビアホールを形成し、そのブラインドビアホールの内壁に絶縁膜及びめっきの下地層を順次形成し、硫酸銅めっき浴中にて前記めっき下地層を一方の電極として電気銅めっきを施すことにより前記ブラインドビアホールを金属銅で充填するブラインドビアホール充填方法であって、前記硫酸銅めっき浴として、下記成分(イ)及び(ロ)を含有する硫酸銅めっき浴を使用し、かつ、前記下地層からなる一方の電極と前記硫酸銅めっき浴中に浸漬された他方の電極に対して正電解時間1〜50msec、逆電解時間0.2〜5msec、休止時間1〜50msecの周期で電流を逆転させながら、電気銅めっきを行うことを特徴とする貫通電極形成方法。(イ)1分子内につき少なくとも5個のエーテル酸素原子を含むポリエーテル。(ロ)分子内に、以下の式で示される化合物。【化1】 R1- S - (CH2O)n - R2 - SO3M(式中、R1は、水素原子、-(S)n-(CH2O)n-R2-SO3M、又は、-CSn-(CH2O)n-R2-SO3Mを示し、R2は、炭素原子3〜8個を含むアルキレン基を示し、Mは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてnは、0又は1を示す。)

IPC (6件)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 101 , C25D 5/18 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (7件)：

C25D 7/12 , C25D 3/38 101 , C25D 5/18 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/288 E , H01L 21/88 J , H01L 21/88 M

Fターム (33件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023CA01 , 4K023CB03 , 4K023CB33 , 4K023DA02 , 4K023DA07 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BB12 , 4K024CA02 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024CA08 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD52 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033MM30 , 5F033PP27 , 5F033QQ07 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ46 , 5F033TT07 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (6件)

充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254591 出願人：日本リーロナール株式会社
めっき浴の振動流動とパルス状めっき電流との組み合わせを用いた電気めっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-129994 出願人：日本テクノ株式会社
変調された波形を使用する金属の電気化学堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-114631 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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