特許

J-GLOBAL ID：200903060183903851

アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ

発明者： 細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  太田 裕道 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005003273
公開番号（公開出願番号）：WO2005-088726
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

本発明は、アモルファス酸化物及びそれを用いた薄膜トランジスタに関する。具体的には、電子キャリア濃度が1018/cm3未満のアモルファス酸化物、及びそれを用いた薄膜トランジスタを提供するものである。ソース電極6、ドレイン電極5、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、及びチャネル層2を有する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層2として電子キャリア濃度が1018/cm3未満であるアモルファス酸化物を用いる。

請求項（抜粋）：

電子キャリア濃度が、1018/cm3未満であることを特徴とするアモルファス酸化物。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C01G15/00 B ,  C01G15/00 D ,  C01G19/00 A

Fターム (17件)：

5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社