特許
J-GLOBAL ID：200903060201502592

半導体装置の製造方法

発明者：
鐘ヶ江 健司

鐘ヶ江 健司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249880
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059911
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジストパターンの上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが発生しないようにする。【解決手段】 絶縁膜201に対してレジストパターン202をマスクにして、フルオロカーボンガスよりなるエッチングガスを用いてプラズマエッチングを行なう。次に、レジストパターン202の上に堆積されたポリマー膜206に対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に低く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第1段階のアッシングを行なう。次に、絶縁膜201の上に存在している残留ポリマーに対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に高く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第2段階のアッシングを行なう。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に堆積された絶縁膜の上にレジストパターンを形成した後、前記絶縁膜に対して、前記レジストパターンをマスクにすると共に炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングを行なう工程と、前記プラズマエッチング工程において前記レジストパターンの上に堆積されたポリマー膜に対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に低く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第1段階のアッシングを行なう工程と、前記第1段階のアッシングが終了したときに前記絶縁膜の上に存在している残留ポリマーに対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に高く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第2段階のアッシングを行なう工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (29件)：
2H025AB16 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA14 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F046MA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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