特許
J-GLOBAL ID:200903060211623789
熱処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金坂 憲幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-326593
公開番号(公開出願番号):特開2000-223432
出願日: 1999年11月17日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 炉口周辺部への反応副生成物の付着を抑制する。また、反応副生成物が付着したとしても、容易に剥離しないようにする。【解決手段】 熱処理炉3内の処理領域Aに被処理体Wを収容して炉口2を密閉し、被処理体Wを所定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理する熱処理装置1の処理領域Aに導入される処理ガスが炉口2側へ侵入するのを阻止するために、炉口2側にパージガス導入部29を設け、処理領域Aと炉口2との間に処理ガスの拡散速度よりも速いパージガスの対向流を発生させる絞り部30を設ける。絞り部30はマニホールド7の内側に設ける。絞り部30は保温筒25との間に隘路31を形成する。処理炉3を構成する反応管4は、単管でも二重管構造でもよい。反応副生成物の付着が想定される炉口2および排気系14の内面に反応副生成物の剥離を抑制する粗面加工を施す。
請求項(抜粋):
熱処理炉内の処理領域に被処理体を収容して炉口を密閉し、被処理体を所定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理する熱処理装置において、前記処理領域に導入される処理ガスが炉口側へ侵入するのを阻止するために、炉口側にパージガス導入部を設けると共に、処理領域と炉口との間に処理ガスの拡散速度よりも速いパージガスの対向流を発生させる絞り部を設けたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (7件):
H01L 21/205
, F27B 5/10
, F27D 1/00
, F27D 7/06
, H01L 21/22 511
, H01L 21/22
, H01L 21/324
FI (7件):
H01L 21/205
, F27B 5/10
, F27D 1/00 D
, F27D 7/06 B
, H01L 21/22 511 S
, H01L 21/22 511 H
, H01L 21/324 R
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-088976
出願人:東京エレクトロン東北株式会社
-
プラズマ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-357467
出願人:住友金属工業株式会社
-
縦型熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-039965
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-300469
出願人:富士電機株式会社
-
CVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-096913
出願人:富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
-
縦型熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-012707
出願人:日本電気株式会社
全件表示
前のページに戻る