特許
J-GLOBAL ID：200903060234950388
発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086107
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128445
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】発光部にて発光した光を外部に効率よく取り出すことが可能な発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子本体Aは、サファイア基板からなる基板1の一表面側にn形GaN層2aとp形GaN層2bとからなる発光部2が形成され、n形GaN層2aおよびp形GaN層2bそれぞれに電極3a,3bが形成されている。発光素子本体Aは基板1の他表面側に、発光部2に平行な面内で屈折率の異なる2種類の媒質4a,4bからなり屈折率を規則的に変化させた構造を有する屈折率調整部4が形成されている。屈折率調整部4は、基板1の上記他表面側に、レーザ照射部分周辺への熱損傷を生じないパルス幅(1ps以下のパルス幅)のパルスレーザを集光照射してレーザ照射部分を改質加工することで形成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体材料からなる発光部が発光部にて発光する光に対して透明な基板の厚み方向の一表面側に形成された発光素子本体を備え、基板の厚み方向から光が取り出される発光素子であって、発光部に平行な面内で屈折率の異なる2種類の媒質からなり屈折率を変化させた構造を有する屈折率調整部が発光素子本体の厚み寸法内に設けられてなることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F041AA14
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041CA01
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA62
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA77
, 5F041CA94
, 5F041CB14
, 5F041CB15
, 5F041CB31
, 5F041CB32
審査官引用 (9件)
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発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-064003
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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発光ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-265115
出願人：アーベル・システムズ株式会社
-
高効率白色発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-347959
出願人：財団法人工業技術研究院
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