特許
J-GLOBAL ID：200903060256265298
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013063
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327436
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】 チャネル領域の電圧上昇をできるだけ大きくすることにより信頼性の高い書込みを実現できるNAND型EEPROMを提供する。【解決手段】 メモリセルの浮遊ゲートに電子が注入されないようにする、いわゆる“1”の書込みの動作において、ワード線を次のように制御する。選択メモリセルに接続されたワード線WL3(選択ワード線)の充電開始タイミングをワード線WL5〜8(ソース線側ワード線)よりも遅くする。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
データの書換えが可能な不揮発性のメモリセル、もしくは前記メモリセルを含むメモリセルユニットがアレイ上に配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの同一行の前記メモリセルに共通に接続されたワード線と、
を備え、
データ書込み動作中の書込みパルス印加動作において、選択ワード線に書込み用高電圧、非選択ワード線のうち少なくとも2本の非選択ワード線に書込み用中間電圧が印加されるとともに、選択ワード線とソース線の間に位置する第1のワード線の第1の書込み用中間電圧への充電動作の開始よりも、前記選択ワード線とビット線コンタクトの間に位置する第2のワード線の第2の書込み用中間電圧への充電動作の開始の方が遅い、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C16/06
, G11C16/02
, G11C16/04
G11C17/00 633D
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 622E
5B125BA02
, 5B125CA19
, 5B125CA26
, 5B125DB08
, 5B125DB09
, 5B125DB12
, 5B125EA03
, 5B125EA05
, 5B125EB01
, 5B125EB07
, 5B125EC06
, 5B125EG02
, 5B125EG05
, 5B125EG06
, 5B125EG08
, 5B125EG17
, 5B125EK01
, 5B125EK02
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA07
, 5B125FA10
出願人引用 (1件)
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半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-087983
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (5件)
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