オーミック電極構造体およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-271089
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111596
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】SiC半導体装置におけるオーミック電極構造体では、高温で長期間放置するとコンタクトが劣化してコンタクト抵抗が徐々に上昇するという問題がある。本発明は高温に耐えられるオーミック電極構造体を提供する。【解決手段】電極素片8または加熱反応層9と配線Al素片10との間に、Al拡散阻止層11を設け、Al原子の拡散を防止する構成とする。この構成により、高温によって配線Al素片のAl原子が電極膜素片および加熱反応層を緩慢に拡散し、下部の高不純物濃度n型SiC領域に取り込まれた結果、有効なドナー原子の濃度が減少するためにコンタクト抵抗が上昇する、という従来技術の問題を解決することが出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC(炭化珪素)基板と、前記SiC基板の表面に選択的に形成された高不純物濃度n型SiC領域と、前記SiC基板の上に載置されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜中に前記n型SiC領域の表面を露出するように開口された開口部の内部において、前記フィールド絶縁膜から一定の間隙を隔て、前記n型SiC領域に接して形成された導電性の加熱反応層と、前記開口部の内部において、前記フィールド絶縁膜から前記所定の間隙を隔て、かつ前記加熱反応層の表面に接して配置された電極膜素片と、前記電極膜素片の表面上に載置された導電性のAl拡散阻止層と、前記開口部の内部で前記Al拡散阻止層の表面上に載置され、前記Al拡散阻止層を介して前記電極膜素片に導通し、かつ前記フィールド絶縁膜の表面上にまで伸延された配線Al素片と、を備えたことを特徴とするオーミック電極構造体。

IPC (1件)：

H01L21/28

FI (1件)：

H01L21/28 301B

Fターム (25件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF16 , 4M104GG04 , 4M104GG18 , 4M104HH04 , 4M104HH05

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-282858 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-185823
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-001080 出願人：セイコーエプソン株式会社

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