特許
J-GLOBAL ID：200903060370299313

レジストパターン形成方法

発明者：
藤本 匡志

藤本 匡志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153872
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 簡易な工程によって、裾引きや食い込みのない良好な形状の寸法精度の高いレジストパターンを形成することを目的とする。【解決手段】 半導体基板11上に化学増幅型のフォトレジスト膜14を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行うレジストパターン形成方法において、フォトレジスト膜14形の成に先立ち、半導体基板11上に多量の光酸発生剤を吸着させた極薄い層13を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に化学増幅型のフォトレジスト膜を形成し、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクを通して紫外線あるいは遠紫外線を照射し、露光後ベークの後、アルカリ現像液を用いて現像を行うレジストパターン形成方法において、フォトレジスト膜形成に先立ち、半導体基板上に多量の光酸発生剤を吸着させた極薄い酸発生層を形成することを特徴とする、レジストパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 563
引用特許：
審査官引用 (4件)
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