特許
J-GLOBAL ID：200903085077724657

パターン形成方法

発明者：
東 司

東 司 について

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成田 雅貴

成田 雅貴 について

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奥村 勝弥

奥村 勝弥 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292524
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294276
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 工程を複雑化することなく、レジストのフッティングおよびアンダーカットを抑制できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(31)上に下地膜(32)を形成し、中和剤の蒸気を接触させて下地膜(32)上に中和剤のプライマー層(33)を形成し、プライマー層(33)上に化学増幅レジスト(34)を塗布し、レジスト(34)を露光および現像してレジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜表面に、露光により酸を発生する中和剤の蒸気を接触させて、中和剤のプライマー層を形成する工程と、プライマー層上に化学増幅レジストを塗布する工程と、レジストを露光および現像してレジストパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503
FI (2件)：
H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/11 503
引用特許：
審査官引用 (12件)
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