特許
J-GLOBAL ID：200903060380119313

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151308
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050568
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される置換可ヒドロキシスチレンの繰り返し単位および置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。 【化61】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、下記一般式(1)で示される置換可ヒドロキシスチレンの繰り返し単位および置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。
IPC (3件)：
C08F 212/02 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C08F212/02 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (33件)：
2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J100AB00Q ,  4J100AB00R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AL08R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA50R ,  4J100BC03R ,  4J100BC07R ,  4J100BC09R ,  4J100BC43R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (6件)
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