特許
J-GLOBAL ID:200903061355159471
レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-348162
公開番号(公開出願番号):特開2005-114968
出願日: 2003年10月07日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【解決手段】 ヒドロキシ基の水素原子が部分的に酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレン又はヒドロキシビニルアントラセンを繰り返し単位として有する重合体であって、重合体の片末端又は両末端の繰り返し単位において、そのヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で選択的に置換されている重合体を添加してなることを特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、その上、特に優れたエッチング耐性を示し、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ヒドロキシ基の水素原子が部分的に酸不安定基で置換されたヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレン又はヒドロキシビニルアントラセンを繰り返し単位として有する重合体であって、重合体の片末端又は両末端の繰り返し単位において、そのヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で選択的に置換されている重合体を添加してなることを特徴とするレジスト材料。
IPC (3件):
G03F7/039
, C08F12/02
, G03F7/033
FI (3件):
G03F7/039 601
, C08F12/02
, G03F7/033
Fターム (36件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AB00Q
, 4J100AB07P
, 4J100BA03P
, 4J100BA04P
, 4J100BA14P
, 4J100BA20P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC42P
, 4J100BC53P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100FA04
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (7件)
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