特許
J-GLOBAL ID：200903072013835094

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360713
公開番号（公開出願番号）：特開2006-169302
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を含んでなる、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂として含むポジ型レジスト材料、該高分子化合物を基板上に塗布する工程を含んでなるパターン形成方法を提供する。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を含んでなり、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲にある高分子化合物。
IPC (5件)：
C08F 232/08 ,  C08F 212/14 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
C08F232/08 ,  C08F212/14 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB08 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J100AB07Q ,  4J100AR09P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC45Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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