特許
J-GLOBAL ID:200903060478948288
スパッタ・ターゲット、スパッタ・ターゲット・アセンブリ及びそれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
笹島 富二雄
, 西山 春之
, 小川 護晃
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-086727
公開番号(公開出願番号):特開2005-307351
出願日: 2005年03月24日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】スパッタリング中にスパッタ・ターゲットに熱が蓄積することを防止する。 【解決手段】スパッタ面を作製し、このスパッタ面の裏側に(表裏で対応するように)ターゲット裏面を作製することによって、冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットを製造する。前記ターゲット裏面は、表面に凹凸素地を施すテクスチャード加工がなされた少なくとも第1のテクチャード領域含んで構成される。この第1のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第1のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
表面積の変化を介して冷却速度を選択的に制御するようにしたスパッタ・ターゲットであって、
スパッタ面と、
前記スパッタ面の裏側に位置するように設けられ、その表面にテクスチャード加工が施された少なくとも第1のテクスチャード領域を有するターゲット裏面と、
を含んで構成され、
前記第1のテクスチャード領域は、熱を放散させることによって、該第1のテクスチャード領域に隣接するスパッタ・ターゲットの領域の冷却を助長することを特徴とするスパッタ・ターゲット。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C14/34 L
, H01L21/285 S
Fターム (6件):
4K029DC04
, 4K029DC05
, 4K029DC12
, 4K029DC25
, 4M104DD40
, 4M104HH20
引用特許:
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