特許

J-GLOBAL ID：200903060484296039

高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法

発明者： 上田 吉裕 ,  高倉 輝芳 ,  湯浅 貴之 ,  小浦 輝政 ,  中村 雅一 ,  松重 晴彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 清水 徹男 ,  醍醐 邦弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-186630
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104089
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】窒化物半導体の窒素源として適した高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)を用いたガス分析により確定される1310cm-1、1320cm-1ならびに1330cm-1の吸収波長にピークを持つ不純物を、蒸留操作等で低減した高純度アンモニアを得て、これを原材料として窒化物半導体を製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

フーリエ変換赤外分光法によるガス分析で1310cm-1、1320cm-1ならびに1330cm-1の吸収波長にピークが観測される不純物を所定の値以下に低減した高純度アンモニアを窒素源として使用したことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (26件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF16 ,  5F045BB11 ,  5F045BB14 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045GB01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (4件)

• GaN系化合物半導体製造用アンモニアおよびGaN系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-253027   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290218   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-206460   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213410   出願人：株式会社東芝